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1.1GHz 1.3GHz 1100MHz-1300MHz जैमर मॉड्यूल उच्च शक्ति के साथ 43dBm

प्रमाणन
चीन ACASOM CO., LIMITED प्रमाणपत्र
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1.1GHz 1.3GHz 1100MHz-1300MHz जैमर मॉड्यूल उच्च शक्ति के साथ 43dBm

1.1GHz 1.3GHz 1100MHz-1300MHz जैमर मॉड्यूल उच्च शक्ति के साथ 43dBm
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बड़ी छवि :  1.1GHz 1.3GHz 1100MHz-1300MHz जैमर मॉड्यूल उच्च शक्ति के साथ 43dBm

उत्पाद विवरण:
उत्पत्ति के प्लेस: शेन्ज़ेन
ब्रांड नाम: ACASOM
मॉडल संख्या: ACA-JAM111320S1
भुगतान & नौवहन नियमों:
न्यूनतम आदेश मात्रा: 1
मूल्य: 199
प्रसव के समय: 3-5 कार्य दिवस
भुगतान शर्तें: टी/टी, वेस्टर्न यूनियन
आपूर्ति की क्षमता: 3000

1.1GHz 1.3GHz 1100MHz-1300MHz जैमर मॉड्यूल उच्च शक्ति के साथ 43dBm

वर्णन
प्रकार: जैमर मॉड्यूल चिपसेट: GaN हाई पावर चिप
आपूर्तिकर्ता का प्रकार: उत्पादक आवेदन: ड्रोन एफपीवी जैमर प्रणाली
उत्पाद का नाम: एफपीवी जैमर मॉड्यूल आवृत्ति: 1100 मेगाहर्ट्ज-1300 मेगाहर्ट्ज
शक्ति: 43dbm 20W इंटरफेस: एसएमए-एफ
मौजूदा: 2.0ए @24वी, 43डीबीएम बिजली का सॉकेट: 15 सेमी लाल/काला तार
शुद्ध आकार: 96*53*17मिमी शुद्ध भार: 0.15 किग्रा
वोल्टेज: 24 वी वर्किंग बैंड: 200 मेगाहर्ट्ज -6100 मेगाहर्ट्ज (अनुकूलित)
आउटपुट शक्ति: 10W 20W 30W 40W 50W 60W 100W (अनुकूलित)
प्रमुखता देना:

43 डीबीएम जामर मॉड्यूल

,

1.3GHz जैमर मॉड्यूल

,

1.1GHz जैमर मॉड्यूल

1.1GHz 1.3GHz 1100MHz-1300MHz जैमर मॉड्यूल उच्च शक्ति के साथ 43dBm 0

1.1GHz 1.3GHz 1100MHz-1300MHz जैमर मॉड्यूल उच्च शक्ति के साथ 43dBm 1

 

1100MHz-1300MHz 1.1GHz 1.3GHz 20W GAN ड्रोन एफपीवी जैमर

 

1विवरण

ACASOM द्वारा स्वतंत्र रूप से विकसित 50W ड्रोन एफपीवी जैमर का उपयोग मुख्य रूप से ड्रोन और एफपीवी को ढालने के लिए किया जाता है, और ढालने की दूरी 1-2 किमी है।इस उत्पाद बिजली उपकरणों-गैलियम नाइट्राइड (GAN) की नवीनतम पीढ़ी का उपयोग, जो एक सिरेमिक पैकेज और एक तांबा-गोल्ड-प्लेटेड सब्सट्रेट प्रक्रिया का उपयोग करता है। इसके अलावा, हमारे उत्पाद के खोल में विमानन एल्यूमीनियम बॉक्स की निकल लेपित प्रक्रिया का उपयोग किया जाता है,जो उत्पाद के सेवा जीवन को बहुत बढ़ाता हैइस श्रृंखला में 200M, 300, 400M, 500M, 600M, 700M, 800M, 900M, 1000M, 1.2G, 1.3G, 1.4G, 1.5G,1.7G, 2.2G, 2.4G, 3.5G, 4.8G, 5.0G, 5.2G, 5.7G, 5.8G, 6.1G और अन्य आवृत्ति बैंड। इस श्रृंखला के उत्पादों की आउटपुट शक्ति 10W, 20W, 30W, 40W, 50W, 60W, 100W और अन्य शक्ति स्तर है।

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2उत्पाद विनिर्देश

 

नहीं. पद विनिर्देश
1 आवृत्ति सीमा 1100MHz-1300MHz
2 ऑपरेटिंग वोल्टेज 24V
3 आरएफ पोर्ट एसएमए-एफ
4 आउटपुट शक्ति 43dBm
5 वर्तमान 2.0A @24V, 43dBm
6 दक्षता 48%@43dBm
7 एलईडी स्थिति लाल
8 परिचालन तापमान -30°C/85°C
9 भंडारण तापमान -40°C-150°C
10 परिचालन आर्द्रता <95% आरएच
11 समतलता ±0.5dB
12 पावर सॉकेट 15 सेमी लाल/काला तार
14 शैल आकार 96*53*17 मिमी
15 शुद्ध भार 0.15 किलो

 

3उत्पाद लाभ

1. जीएएन चिप (प्लास्टिक पैकेजिंग नहीं, ब्लैक चिप) को सैन्य सिरेमिक के साथ पैक किया गया है, और चिप सब्सट्रेट गर्मी अपव्यय और उत्पाद जीवन को बेहतर बनाने के लिए तांबे की सोने की चढ़ाई प्रक्रिया का उपयोग करता है

 

2उच्च शक्ति और उच्च आवृत्ति आरएफ प्रदर्शन में सुधार के लिए पीसीबी मोटी सोने की चढ़ाई (0.3um से अधिक मोटाई) प्रक्रिया का उपयोग करता है

 

3. शैल विमानन एल्यूमीनियम और सैन्य निकेल चढ़ाना प्रौद्योगिकी को अपनाता है उत्पाद के संवाहक प्रभाव और स्थिरता प्रदान करने के लिए

 

4प्रत्येक उत्पाद को उच्च और निम्न तापमान परीक्षणों और प्रणाली उत्पादों की स्थापना दक्षता में सुधार के लिए उम्र बढ़ने के परीक्षणों से गुजरना होगा

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4.GAN चिप के फायदे

1उच्च उत्पादन शक्ति और उच्च कार्य दक्षता, 50% से अधिक;
2. जीएएन के चिप्स प्लास्टिक के बजाय सिरेमिक में पैक किए जाते हैं,सेवा जीवन को बढ़ाते हैं;
3. GAN के चिप्स में गर्मी फैलाव और सेवा जीवन को बढ़ाने के लिए एक शुद्ध तांबा-गोल्ड-प्लेटेड सब्सट्रेट है;
4. जब आप एंटीना स्थापित नहीं कर रहे हैं, जामर बाहर जला नहीं होगा.

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5उत्पाद का आकार

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सम्पर्क करने का विवरण
ACASOM CO., LIMITED

व्यक्ति से संपर्क करें: Mr. tommy

दूरभाष: 18625215257

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